基礎心理學聽課筆記系列:第六章記憶(2)
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4.記憶的腦細胞機制
神經元和突觸結構的改變是短時記憶向長時記憶過渡的生理機制。這改變包括相鄰神經元突觸結構的變化、神經元膠質細胞的增加和神經元之間突觸連接數量的增加;長時程增強作用對長時記憶有重要意義;記憶是由神經元內部的核糖核酸的分子結構來承擔的，認為脫氧核糖核酸和核糖核酸是記憶的化學分子載體。并且激素能夠影響記憶的保持。
5.感覺記憶、短時記憶和長時記憶
(1)感覺記憶：是記憶系統的開始階段，它是一種原始的感覺形式，是記憶系統在對外界信息進行進一步加工之前的暫時登記。圖象記憶是感覺記憶的主要編碼形式。斯伯林的局部報告法證明了感覺記憶的存在。
(2)短時記憶：是感覺記憶和長時記憶的中間階段。它最大特點是其保持的容量是有限的(大約5-9個單位，7±2)，在沒有復述的情況下，信息在短時記憶中保持的時間很短。來自感覺記憶的信息可以在短時記憶中得到加工而進入長時記憶;來自長時記憶的信息也可以進入短時記憶，并得到進一步加工。復述是短時記憶的存儲信息的方法，可以防止短時記憶中的信息發生遺忘。短時記憶的遺忘主要是由于其他信息的干擾引起的。
(3)長時記憶構成了個體關于外界和自身的全部知識經驗。長時記憶的信息容量沒有限制，良好的編碼能夠改善信息在長時記憶中的保持和提取。
①長時記憶保持所需條件是：
A.組織有效的復習。與遺忘斗爭的首要條件是組織記后的復習，沒有復述的信息是不可能進入長時記憶的，因此我們要復習要及時;正確分配復習時間;閱讀與重現交替進行;注意排除前后材料的影響。
B.利用外部記憶手段。
C.注意腦的健康和用腦衛生。
②長時記憶中信息的遺忘：德國心理學家艾賓浩斯認為“保持和遺忘是時間的函數”，提出了艾賓浩斯曲線。影響遺忘進程的因素除了最主要的時間因素以外還有：1、識記材料的性質與數量;2、學習的程度;3、識記材料的系列位置(如近因效應和首因效應);4、識記者的態度。
③遺忘的原因：
1、衰退說;2、干擾說;3、壓抑說;4、提取失敗。
6.內隱記憶和外顯記憶的關系
(1)加工深度因素對內隱記憶和外顯記憶的影響不同。加工深度不影響內隱記憶;但對外顯記憶則有非常明顯的影響。
(2)內隱記憶和外顯記憶的保持時間不同。內隱記憶隨時間延長而發生的消退要比外顯記憶慢的多。
(3)記憶負荷量的變化對內隱記憶和外顯記憶產生的影響不同。外顯記憶會隨著記憶的項目的增多而不容易記住;內隱記憶則不然。
(4)呈現方式的改變對外顯記憶和內隱記憶有不同的影響。感覺通道的改變會嚴重影響內隱記憶的作業成績，而對外顯記憶的效果沒有影響。
(5)干擾因素對外顯記憶和內隱記憶的影響不同。外顯記憶很容易受到其他無關信息的干擾，而內隱記憶則不同。來源：考試大
附錄名詞解釋
1.【記憶】是在頭腦中積累和保存個體經驗的心理過程，運用信息加工的術語講，就是人腦對外界輸入的信息進行編碼、存儲和提取的過程。
2.【反響回路】是指神經系統中皮層和皮層下組織之間存在的某種閉合的神經環路。當外界刺激作用于神經環路的某一部分時，回路便產生神經沖動。刺激停止后，這種沖動并不立即停止，而是繼續在回路中往返傳遞并持續一短暫的時間(是短時記憶的生理基礎)。
3.【記憶恢復】是指學習某種材料后間隔一段時間所測量的保持量，比學習后立即測量的保持量要高，這就是記憶恢復。
4.【再認】是指人們對感知過、思考過或體驗過的事物，當它再度呈現時，仍能認識的心理過程。
5.【回憶】是人們過去經歷過的事物的形象或概念在人們頭腦中重新出現的過程。
6.【前攝抑制】是先學習的材料對識記和回憶后學習的材料的干擾作用。
【后攝抑制】是后學習的材料對識記和回憶先學習的材料的干擾作用。
7.【內隱記憶】過去經驗對個體當前活動的一種無意識的影響。
【外顯記憶】過去經驗對個體當前活動的一種有意識的影響
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